17 octubre, 2025
Samsung ha dado un paso clave en su intento por acortar distancias con TSMC: invertirá 773 millones de dólares en dos escáneres «High-NA» EUV de ASML, la litografía más avanzada del momento para dar el salto a los chips de 2 nm. La operación, según medios asiáticos, tiene como objetivo reforzar su división de fundición y evitar errores como los ocurridos con los chips de 3 nm, donde la competencia logró mejores resultados o mayor adopción.
Según las informaciones publicadas, uno de los equipos, el Twinscan EXE:5200B, llegaría a finales de este año y el segundo durante la primera mitad de 2026. Estas máquinas se destinarían a líneas de 2 nm en Corea, centradas en productos estratégicos para dispositivos móviles y sistemas de computación. Esta decisión se produce en un contexto de creciente demanda de soluciones de IA y computación de alto rendimiento (HPC), con TSMC captando buena parte de los clientes de 3 nm.
La litografía EUV ya era esencial en los nodos de 7 y 5 nm, pero el salto a High-NA (con una apertura numérica de 0,55) permite patrones más finos y reduce la necesidad de múltiples exposiciones, en comparación con las herramientas EUV actuales (NA de 0,33). El resultado práctico es mayor densidad y menor consumo con el mismo rendimiento, justo lo que buscan los SoC móviles de nueva generación y los aceleradores de IA. Para Samsung, adelantar esta adopción es una palanca para estabilizar los 2 nm (SF2) y competir en rendimiento y eficiencia con los N2 de TSMC.
Conviene recordar que Intel ha sido la primera en recibir equipos High‑NA para desarrollo, y que SK hynix ya ha montado una unidad orientada a DRAM. Samsung, que a comienzos de año probó un sistema experimental (el EXE:5000), da ahora el salto a equipos de producción, con el objetivo de acelerar la maduración de sus nodos de 2 nm y posteriores.
La hoja de ruta prevé que Samsung inicie la producción de chips de 2 nm en 2025, con un despliegue progresivo hasta 2026. En este marco, los equipos High‑NA reforzarían las fábricas donde se preparan Exynos de próxima generación (se menciona el Exynos 2600) y contratos de alto perfil en chips de IA, incluyendo acuerdos industriales ya avanzados. El mensaje es claro: más capacidad y mejor rendimiento para tentar a clientes que hoy dependen de TSMC.
Para el usuario de Android, el impacto podría reflejarse en móviles de gama alta con mejoras notables en eficiencia energética, CPU y GPU más rápidas y motores de IA más capaces sin aumentar el consumo. Si Samsung logra un rendimiento competitivo, podríamos ver Exynos más ambiciosos en la gama alta de los Galaxy y más diversidad de proveedores en SoC para Android.
En paralelo, TSMC prevé la producción masiva de 2 nm en la segunda mitad de 2025, mientras que reservaría el High‑NA para nodos posteriores (1,4 nm). Intel acelera su hoja de ruta con 18A/14A y también está incorporando High‑NA en su transición de proceso. Esta competencia a tres bandas marcará los lanzamientos de móviles donde podría llegar incluso al Galaxy S26 Ultra, portátiles y centros de datos durante el periodo 2025-2027.
La inversión de 773 millones de dólares no garantiza por sí sola el éxito, pero sí reduce la brecha tecnológica y envía un mensaje a los grandes clientes: Samsung quiere jugar el partido de los 2 nm con todas las cartas. ¿Será suficiente este movimiento para cerrar la brecha con TSMC, o seguirá manteniendo su ventaja? Te leemos en los comentarios.
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